بر اساس یک گزارش جدید، سامسونگ الکترونیکس آماده تولید انبوه تراشه‌های نسل سوم ۴ نانومتری خود است. ظاهرا این شرکت کره‌ای مسائل مربوط به عملکرد را در مراحل اولیه حل کرده و به پیشرفت‌هایی در عملکرد، مصرف انرژی و بهبود کلی دست یافته است. تولید باید در نیمه اول سال میلادی آغاز شود.
نسل سوم تراشه ۴ نانومتری سامسونگ
سامسونگ بازده ویفر چیپست‌های نسل جدید خود را که قبلاً در کارخانه Hwaseong تولید می‌شد و بسیار پایین بود، بهبود بخشیده است. این پیشرفت به سامسونگ اجازه داد تا با سایر شرکت های نیمه هادی مانند TSMC رقابت کند و مشتریانی مانند کوالکام را که قبلاً مجبور به تکیه بر پلتفرم های 4 نانومتری TSMC بودند، جذب کند.
در گزارش تجاری سامسونگ چند روز پیش منتشر کرد، این غول فناوری کره‌ای برنامه تولید انبوه نسل بعدی تراشه ۴ نانومتری خود را برای اعلام کرد. در مقایسه با نسخه اولیه SF4E، تراشه‌های نسل دوم و سوم 4 نانومتری عملکرد برتر، کاهش مصرف انرژی و اندازه کوچک‌تر را ارائه می‌دهند.
اگزینوس
گفته می‌شود که فرآیند ۴ نانومتری سامسونگ بازده ۶۰ درصدی دارد. قابل ذکر است که این عدد با بازده ۷۰ تا ۸۰ درصدی TSMC برابری نمی کند. با این حال، کارشناسان می گویند که بازده سامسونگ به سرعت در حال بهبود است و تولید انبوه نسخه بعدی نیز سرعت می گیرد.
آنطور که گفته می‌شود، Samsung Electronics در رفع موانع فنی مانند افزایش عملکرد و بازده در فرآیندهای تولید پیشرفته، پیشرفت چشمگیری داشته است.
نظر شما چیست؟ فکر می‌کنید کره‌ای‌ها بتوانند با تایوانی‌ها رقابت خوبی داشته باشند؟
بفرست برای دوستات
منبع: https://toranji.ir/2023/03/14/%D9%86%D8%B3%D9%84-%D8%B3%D9%88%D9%85-%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D8%B4%D9%87-%DB%B4-%D9%86%D8%A7%D9%86%D9%88%D9%85%D8%AA%D8%B1%DB%8C-%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%A8%D9%87-%D8%AA%D9%88%D9%84/
