سامسونگ حافظه GDDR6W را با دو برابر ظرفیت بیشتر نسبت‌به GDDR6X معرفی کرد

تا آنجا که به پهنای باند خام مربوط می‌شود، سامسونگ می‌گوید که VRAM GDDR6W تقریباً می‌تواند به روشی کارآمدتر با استاندارد HBM مطابقت داشته باشد. درحالی‌که تراشه‌های HBM2E دارای پهنای باند 1.6 ترابایت‌برثانیه با 4096 پین ورودی/خروجی و سرعت انتقال 3.2 گیگابیت‌برثانیه در هر پایه هستند، استاندارد جدید GDDR6W پهنای باند 1.4 ترابایت‌برثانیه با 512 پین ورودی/خروجی و نرخ 22 گیگابیت‌برثانیه را ارائه می‌کند. در هر پین کاهش تعداد خطوط ورودی/خروجی به‌میزان 8 برابر اساساً نیاز به لایه interposer را از بین می‌برد و آن را برای تولیدکنندگان محصول مقرون‌به‌صرفه‌تر می‌کند. به‌عنوان‌مرجع، GDDR6X تا 1.1 ترابایت‌برثانیه پهنای باند ارائه می‌دهد، بنابراین GDDR6W تا 30 درصد سریع‌تر خواهد بود. از سوی دیگر، انتظار می‌رود که GDDR7 پهنای باند 1.7 ترابایت‌برثانیه را بر روی یک گذرگاه 384 بیتی ارائه دهد.

بفرست برای دوستات

منبع: https://toranji.ir/2022/11/29/%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%AD%D8%A7%D9%81%D8%B8%D9%87-gddr6w-%D8%B1%D8%A7-%D8%A8%D8%A7-%D8%AF%D9%88-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%D8%A8%D8%B1-%D8%B8%D8%B1%D9%81%DB%8C%D8%AA-%D8%A8%DB%8C%D8%B4/

همان‌طور که گفته شد، ظرفیت این نوع حافظه اکنون از 16 گیگابیت به 32 گیگابیت در هر قالب رسیده است، درحالی‌که پین ​​ورودی/خروجی از 32 به 64 می‌رسد. همچنین ضخامت نیز از 1.1 میلی‌متر به 0.7 میلی‌متر با حذف لایه پایه PCB و جایگزینی آن با ویفر سیلیکونی که خود تراشه‌های VRAM را یکپارچه می‌کند، رسیده است.

نظر شما درباره حافظه گرافیکی جدید GDDR6W سامسونگ چیست؟

به‌لطف فرایند جدید تولید FOWLP، قالب‌های حافظه گرافیکی GDDR6W به‌اندازه قالب‌های GDDR6X هستند، اما به‌جای 16 گیگابایت، از 32 گیگابایت حافظه بهره می‌برند. همچنین تعداد پین‌های ورودی/خروجی نیز اکنون دو برابر شده است. پهنای باند در سطح سیستم می‌تواند با 512 پین ورودی/خروجی به 1.4 ترابایت‌برثانیه برسد، درحالی‌که HBM2E میزان 1.6 ترابایت‌برثانیه را تا 4096 پین ارائه می‌دهد که استاندارد حافظه جدید سامسونگ را به‌میزان قابل‌توجهی کارآمدتر می‌کند.

تحریریه ICTNN شبکه خبری