تیم تحرریه شبکه خبری فناوری اطلاعات و ارتباطات
ادامه مطلب
در اکتبر سال گذشته، سامسونگ اعلام کرد که کارایی فرآیند 3 نانومتری خود به همان سطح فرآیند 4 نانومتری نزدیک شده است. در حالی که این شرکت هرگز اعداد رسمی را نشان نداد. تحلیلگران بر این باورند که تراشه 4 نانومتری سامسونگ مشکلات عملکردی داشته است. بر اساس گزارش ها، انتظار می رود نسل دوم تراشه 3 نانومتری سامسونگ در سال 2023 تولید شود و نقشه راه این شرکت تولید تراشه 2 نانومتری مبتنی بر MBCFET در سال 2025 است.
جو بایدن، رئیس جمهور ایالات متحده ماه گذشته برای شرکت در نمایشگاه فناوری 3 نانومتری سامسونگ، از کارخانه پیونگ یانگ سامسونگ بازدید کرد. سال گذشته صحبت هایی مبنی بر اینکه این شرکت می تواند 10 میلیارد دلار برای ساخت یک ریخته گری 3 نانومتری در تگزاس سرمایه گذاری کند و با افزایش 17 میلیارد دلاری سرمایه گذاری، انتظار می رود سامسونگ در سال 2024 فعالیت خود را آغاز کند.
به گزارش یونهاپ نیوز، سامسونگ از هفته آینده در نیمه دوم سال جاری تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را آغاز می کند. این تراشه ها در مقایسه با مدل 5 نانومتری خود 35 درصد فضای کمتر، 30 درصد عملکرد بیشتر و 50 درصد مصرف انرژی کمتری خواهند داشت. این تراشه‌های 3 نانومتری از تغییر طراحی Gate-All-Around (GAA) برای ترانزیستورها به دست می‌آیند، زیرا به کارخانه ریخته‌گری اجازه می‌دهند تا ترانزیستورها را کوچک کنند بدون اینکه توانایی آنها در حمل جریان را به خطر بیندازند.
تحریریه ICTNN شبکه خبری
