تا آنجا که به پهنای باند خام مربوط می‌شود، سامسونگ می‌گوید که VRAM GDDR6W تقریباً می‌تواند به روشی کارآمدتر با استاندارد HBM مطابقت داشته باشد. درحالی‌که تراشه‌های HBM2E دارای پهنای باند 1.6 ترابایت‌برثانیه با 4096 پین ورودی/خروجی و سرعت انتقال 3.2 گیگابیت‌برثانیه در هر پایه هستند، استاندارد جدید GDDR6W پهنای باند 1.4 ترابایت‌برثانیه با 512 پین ورودی/خروجی و نرخ 22 گیگابیت‌برثانیه را ارائه می‌کند. در هر پین کاهش تعداد خطوط ورودی/خروجی به‌میزان 8 برابر اساساً نیاز به لایه interposer را از بین می‌برد و آن را برای تولیدکنندگان محصول مقرون‌به‌صرفه‌تر می‌کند. به‌عنوان‌مرجع، GDDR6X تا 1.1 ترابایت‌برثانیه پهنای باند ارائه می‌دهد، بنابراین GDDR6W تا 30 درصد سریعتر خواهد بود. از سوی دیگر، انتظار می‌رود که GDDR7 پهنای باند 1.7 ترابایت‌برثانیه را بر روی یک گذرگاه 384 بیتی ارائه دهد.
بفرست برای دوستات
منبع: https://toranji.ir/2022/11/29/%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%AD%D8%A7%D9%81%D8%B8%D9%87-gddr6w-%D8%B1%D8%A7-%D8%A8%D8%A7-%D8%AF%D9%88-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%D8%A8%D8%B1-%D8%B8%D8%B1%D9%81%DB%8C%D8%AA-%D8%A8%DB%8C%D8%B4/
سامسونگ مشخصات GDDR6W را کمتر از 2 ماه پس از معرفی مشخصات GDDR7 اعلام کرده است. به‌نظر می‌رسد محصولاتی که از تراشه‌های GDDR7 VRAM استفاده می‌کنند، ممکن است مدت بیشتری طول بکشد تا وارد بازار شوند، زیرا سامسونگ ادعا می‌کند که استانداردسازی JEDEC برای محصولات GDDR6W VRAM قبلاً در سه‌ماهه دوم سال جاری تکمیل شده است و غول کره‌ای درحال برنامه‌ریزی برای ارائه این استاندارد است. استاندارد GDDR6W علاوه‌بر ارائه پهنای باند بالاتر اما، با دو برابر ظرفیت و پین‌های ورودی/خروجی بر روی تراشه‌های GDDR6X با سرعت 24 گیگابیت‌برثانیه و طراحی انقلابی FOWLP (بسته‌بندی سطح ویفر فن‌آوت) توسعه یافته است که اجازه می‌دهد ردپایی بدون تغییر داشته باشد تا تولیدکنندگان بتوانند از آن استفاده کنند.
کمپانی سامسونگ امروز به‌صورت رسمی از استاندارد جدید حافظه گرافیکی خود با نام GDDR6W با پهنای باند و ظرفیت دو برابری نسبت‌به GDDR6X رونمایی کرد. به‌گفته‌ی سامسونگ این مدل حافظه‌ها، عموما در بخش متاورس کاربرد خود را نشان می‌دهند.
حافظه گرافیکی GDDR6W سامسونگ
حافظه گرافیکی GDDR6W سامسونگهمانطور که گفته شد، ظرفیت این نوع حافظه اکنون از 16 گیگابیت به 32 گیگابیت در هر قالب رسیده است، درحالی‌که پین ورودی/خروجی از 32 به 64 می‌رسد. همچنین ضخامت نیز از 1.1 میلی‌متر به 0.7 میلی‌متر با حذف لایه پایه PCB و جایگزینی آن با ویفر سیلیکونی که خود تراشه‌های VRAM را یکپارچه می‌کند، رسیده است.
نظر شما درباره حافظه گرافیکی جدید GDDR6W سامسونگ چیست؟به‌لطف فرایند جدید تولید FOWLP، قالب‌های حافظه گرافیکی GDDR6W به‌اندازه قالب‌های GDDR6X هستند، اما به‌جای 16 گیگابایت، از 32 گیگابایت حافظه بهره می‌برند. همچنین تعداد پین‌های ورودی/خروجی نیز اکنون دو برابر شده است. پهنای باند در سطح سیستم می‌تواند با 512 پین ورودی/خروجی به 1.4 ترابایت‌برثانیه برسد، درحالی‌که HBM2E میزان 1.6 ترابایت‌برثانیه را تا 4096 پین ارائه می‌دهد که استاندارد حافظه جدید سامسونگ را به‌میزان قابل‌توجهی کارآمدتر می‌کند.
تحریریه ICTNN شبکه خبری
