سامسونگ قصد دارد فناوری ساخت ترانزیستورهای 3 نانومتری خود را با فرآیند +SF3P خود ارتقا دهد و تولید انبوه خود را تا سال 2025 آغاز کند. این شرکت قبلاً ثابت کرده است که می‌تواند تراشه‌های GAA را تولید انبوه کند و تراشه‌های GAA نسل دوم و سوم آن‌ها می‌توانند برخی از مشتریان بزرگ را جذب کنند. در چند سال گذشته، سامسونگ شماری از بزرگ‌ترین مشتریان خود شامل AMD ،Nvidia و Qualcomm را به TSMC واگذار کرده است.
Samsung Foundry همچنین یک فرایند جدید 1.4 نانومتری (SF1.4) را به برنامه‌های تولید نیمه‌هادی خود اضافه کرده است. این شرکت قصد دارد تا سال 2027 تولید انبوه تراشه‌های 1.4 نانومتری را آغاز کند. این شرکت کره‌ای هنوز اعلام نکرده است که چه پیشرفت‌هایی از تراشه‌های 1.4 نانومتری خود را انتظار دارد، اما اطمینان می‌دهد که قانون مور همچنان درحال جریان است، هرچند به‌کندی.
این شرکت کره‌ای انتظار دارد 50 درصد تقاضای تراشه از بازارهای خودرو، HPC (محاسبات با عملکرد بالا)، اینترنت اشیا و 5G باشد. این شرکت از فرآیندهای 4 نانومتری پیشرفته برای تولید تراشه‌های بخش خودرو و HPC استفاده خواهد کرد. درحال‌حاضر سامسونگ درحال ساخت تراشه‌های 28 نانومتری eNVM برای مشتریان خودروسازی خود است، اما قصد دارد این تراشه را با راه‌حل‌های 14 نانومتری eNVM در سال 2024 و راه‌حل‌های 8 نانومتری eNVM در آینده بهبود بخشد.
این شرکت کره‌ای اعلام کرد که تراشه‌های نسل دوم 3 نانومتری آن‌ها، 20 درصد ترانزیستورهای کوچک‌تری نسبت‌به تراشه‌های نسل اول 3 نانومتری خواهند داشت. این منجر به تراشه‌های کوچک‌تر و کم‌مصرف‌تر برای گوشی‌های هوشمند، رایانه‌های شخصی، سرورهای ابری و ابزارهای پوشیدنی می‌شود.
نظر شما درباره نقشه راه سامسونگ برای تولید تراشه های 2 و 1.4 نانومتری چیست؟
ابتدا اجازه دهید در مورد تراشه‌های 3 نانومتری این شرکت صحبت کنیم. Samsung Foundry تولید انبوه اولین تراشه‌های 3 نانومتری جهان (SF3E) با فناوری GAA (Gate All Around) را چند ماه پیش آغاز کرده است. GAA یک بازسازی اساسی در طراحی پایه ترانزیستور است که فقط چند سال یک‌بار اتفاق می‌افتد. این شرکت قول بهبودهای گسترده در بهره‌وری انرژی با کمک این فناوری را می‌دهد. سامسونگ قصد دارد تا سال 2024 نسل دوم تراشه‌های نیمه‌هادی 3 نانومتری (SF3) را معرفی کند.
تولید تراشه 1.4 نانومتری سامسونگ
سامسونگ درحال‌حاضر درحال ساخت تراشه‌های 8 نانومتری RF (فرکانس رادیویی) برای بخش مخابراتی است و در حال توسعه تراشه‌های RF 5 نانومتری نیز می‌باشد که می‌تواند به‌زودی عرضه شود.
منبع: https://toranji.ir/2022/10/05/%D9%86%D9%82%D8%B4%D9%87-%D8%B1%D8%A7%D9%87-%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%DB%8C-%D8%AA%D9%88%D9%84%DB%8C%D8%AF-%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D8%B4%D9%87-1-4-%D9%86%D8%A7%D9%86/
این شرکت همچنین درحال بهبود فناوری بسته‌بندی ادغام ناهمگن 2.5D/3D است. بسته‌بندی سه‌بعدی X-Cube سامسونگ با اتصال میکرو bump در سال 2024 در دسترس خواهد بود، درحالی‌که 3D X-Cube بدون ضربه در سال 2026 در دسترس خواهد بود. سامسونگ همچنین قصد دارد ظرفیت تولید تراشه را تا سال 2027 نسبت‌به سال 2022 تا 3 برابر افزایش دهد.
سامسونگ همچنین اعلام کرده که قصد دارد تا سال 2025 تولید تراشه‌های 2 نانومتری را آغاز کند. معمولاً تغذیه ترانزیستورها و برقراری ارتباط با آن‌ها فقط ازطریق یک طرف تراشه نیمه‌هادی انجام می‌شود. با فناوری جدید تحویل برق از پشت، ارتباطات و تحویل نیرو به دو طرف یک تراشه تقسیم می‌شوند. این عملکرد کلی تراشه را بهبود می‌بخشد. اینتل قصد دارد تا سال 2024 ویژگی مشابه (PowerVia) را به تراشه‌های خود بیاورد.
Samsung Foundry، دومین شرکت بزرگ تولید تراشه‌های نیمه‌هادی در جهان، در رویداد Samsung Foundry Forum 2022 اعلام کرد که به بهبود تراشه‌ها ادامه می‌دهد تا کوچک‌تر، سریعتر و کارآمدتر باشند. برای این منظور، سامسونگ برنامه‌های خود برای تولید تراشه های 2 نانومتری و 1.4 نانومتری به‌ترتیب تا سال‌های 2025 و 2027 را اعلام کرد.
