سامسونگ قصد دارد فناوری ساخت ترانزیستورهای 3 نانومتری خود را با فرآیند +SF3P خود ارتقا دهد و تولید انبوه خود را تا سال 2025 آغاز کند. این شرکت قبلاً ثابت کرده است که میتواند تراشههای GAA را تولید انبوه کند و تراشههای GAA نسل دوم و سوم آنها میتوانند برخی از مشتریان بزرگ را جذب کنند. در چند سال گذشته، سامسونگ شماری از بزرگترین مشتریان خود شامل AMD ،Nvidia و Qualcomm را به TSMC واگذار کرده است.
منبع: https://toranji.ir/2022/10/05/%D9%86%D9%82%D8%B4%D9%87-%D8%B1%D8%A7%D9%87-%D8%B3%D8%A7%D9%85%D8%B3%D9%88%D9%86%DA%AF-%D8%A8%D8%B1%D8%A7%DB%8C-%D8%AA%D9%88%D9%84%DB%8C%D8%AF-%D8%AA%D8%B1%D8%A7%D8%B4%D9%87-1-4-%D9%86%D8%A7%D9%86/
این شرکت همچنین درحال بهبود فناوری بستهبندی ادغام ناهمگن 2.5D/3D است. بستهبندی سهبعدی X-Cube سامسونگ با اتصال میکرو bump در سال 2024 در دسترس خواهد بود، درحالیکه 3D X-Cube بدون ضربه در سال 2026 در دسترس خواهد بود. سامسونگ همچنین قصد دارد ظرفیت تولید تراشه را تا سال 2027 نسبتبه سال 2022 تا 3 برابر افزایش دهد.
سامسونگ همچنین اعلام کرده که قصد دارد تا سال 2025 تولید تراشههای 2 نانومتری را آغاز کند. معمولاً تغذیه ترانزیستورها و برقراری ارتباط با آنها فقط ازطریق یک طرف تراشه نیمههادی انجام میشود. با فناوری جدید تحویل برق از پشت، ارتباطات و تحویل نیرو به دو طرف یک تراشه تقسیم میشوند. این عملکرد کلی تراشه را بهبود میبخشد. اینتل قصد دارد تا سال 2024 ویژگی مشابه (PowerVia) را به تراشههای خود بیاورد.
Samsung Foundry، دومین شرکت بزرگ تولید تراشههای نیمههادی در جهان، در رویداد Samsung Foundry Forum 2022 اعلام کرد که به بهبود تراشهها ادامه میدهد تا کوچکتر، سریعتر و کارآمدتر باشند. برای این منظور، سامسونگ برنامههای خود برای تولید تراشه های 2 نانومتری و 1.4 نانومتری بهترتیب تا سالهای 2025 و 2027 را اعلام کرد.